- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 43/30
Brevets de cette classe: 108
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 9847 |
21 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
16 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
12 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
6 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
6 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
6 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
3 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
3 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
3 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
3 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
2 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1642 |
2 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
2 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
2 |
| Toshiba Corporation | 12017 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 3906 |
1 |
| Autres propriétaires | 12 |